10 月 20 日消息，今日韩国 SK 海力士宣布，成功开发出业界第一款 HBM3 DRAM 内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。

　　目前 HBM DRAM 已经发展到了第四代，HBM3 进一步提升了单片容量以及带宽。海力士表示，2020 年 7 月便开始量产 HBM2E 内存，为全球首批量产这种芯片的企业。

　　SK 海力士最新的 HBM3 芯片，单片最大容量可达 24GB，最高带宽达到了 819 GB/s，相比 HBM2E 提升了 78%。不仅如此，产品还支持片上 ECC 纠错，显著高了可靠性。

　　这款 HBM3 内存提供 16GB 和 24GB 两种类型，分别为 8 层和 12 层堆叠，每层容量 2GB。工程师将单片芯片的高度磨削至 30 微米厚，相当于 A4 纸的三分之一。然后，使用 TSV 硅通孔技术将这些芯片堆叠在一起，最终进行封装。

　　这款芯片可以用于高性能 CPU，或者专用计算加速卡，可以显著提高人工智能、机器学习运算的性能，有助于科学研究、药物开发、气候变化分析等。