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高通骁龙8150旗舰芯片曝光 将采用台积电7nm FinFET工艺制造
作者:发布时间:2018-10-29 14:59:58来源: IT之家

  种种消息显示,高通的下一代旗舰芯片骁龙855将命名为“骁龙8150”。

  据了解,骁龙8150将采用台积电的7nm FinFET工艺制造,另外,该芯片将加入独立NPU,在AI方面将迎来大幅度的提升,而不是目前的“AIE”。

  目前,骁龙8150处理器的名称已经出现在Android 9 Pie系统文件和蓝牙认证文件当中。

  

 

  据爆料达人Roland Quandt的消息,“骁龙8150”还将采用与华为麒麟980类似的三簇CPU核心集群设计,也就是说,这枚芯片拥有2个超大核,两个大核心和4个小核心。

  数据显示,麒麟980是Cortex-A76架构CPU与Mali-G76 GPU的全球首发商用。CPU采用了2超大核(基于Cortex-A76)、2大核(基于Cortex-A76)、4小核(Cortex-A55)的2+2+4核设计,单核性能提升75%,能效提升58%。

  按照Roland Quandt的爆料,骁龙8150将在今年12月位于夏威夷的年度峰会上亮相。

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